据外媒报道，总部位于美国的Solar-Tectic公司，日前在宾汉姆顿大学和BlueWaveSemiconductor的协助下，获得了全新薄膜晶体管(TFT)技术专利，该技术将有助于提高有机发光二极管(OLED)、有源矩阵OLED(AMOLEDs)、液晶面板设备(LCD)显示器以及太阳能电池设备的效率并降低其成本。
与用于制造驱动显示器像素并需要昂贵的准分子激光退火的TFT的传统低温多晶硅(LTPS)工艺不同，这种新工艺是由金属诱导结晶(MIC)衍生而来的，并且使用改性液相外延电子束工艺，能够在低至232°C的温度下，在金属氧化物，如氧化镁缓冲基板上沉积薄金属层，然后沉积最终的汽化硅(Si)层并结晶成约50至100nm厚的薄膜，整个流程没有任何金属残余物。
通过使用拉曼光谱和X射线光谱对Si膜进行的分析显示出了高达188cm2/Vs的电子迁移率(而传统的LTPS电子迁移了则为100cm2/Vs)。
研究人员希望通过使用ST和BWS定向的MgO(111)薄膜缓冲基板进一步提高晶体尺寸，从而进一步提高电子迁移率，最终提高设备效率并有效降低成本。
上一篇：三星将于10月A4OLED工厂的生产富士康广州10.5代线项目传新进展：预计明年10月量产下一篇：TFT-LCD面板的制造工艺流程
面板制程中MetaloxideTFT、LTPSTFT和a-SiTFT技术比较
TFT-LCD玻璃基板的发展现状及趋势分析
什么是高世代tft-lcd面板生产线