ITO膜导电性能采用的指标是方块电阻，用R□表示。
R□与ITO的体电阻率及ITO膜厚有关。
如下图是电流平行经过ITO膜层的情形。图中，d为膜厚；I为电流；L1为膜层在电流方向上的长度；L2为膜层在垂直电流方向的长度。
L2
L1
I
d
当电流流过上图所示的方形导电膜层时，该层的电阻为：
R□
=
d
ρ
式中，p为导电膜的体电阻率。对于给定的膜厚层，p和d可以认为是不变的定值，当L1=L2时，即为正方形的膜层，无论方块大小如何，其电阻均为定值p/d，这就是方块电阻的定义，即
R=ρxxx
L1
dL2
式中，R□单位为：(Ω/□)。
方块电阻通常用四探针测试仪来测定。
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